【基本信息】

所在部门：威尼斯432888can(中国)股份有限公司

职 称：副教授

出生年月： 1980年11月15日

电子邮件：renmin@uestc.edu.cn

办公电话：028-83207790

手机号码：13548073971

ＱＱ号码：106745372

MSN号码：

【个人简介】

任敏，女，副教授，生于1980年11月15日，中共党员，研究生学历，博士学位。2009年毕业于清华大学微电子学研究所，获微电子学与固体电子学专业工学博士学位。现任电子科技大学微电子与固体电子学院副教授。

【研究方向】

1．模拟/射频/微波/毫米波集成电路设计

【在研项目】

1．超结器件在极端电热应力下的失效机理及加固技术研究，国家自然科学基金青年基金，项目负责人

2．600伏以上高速低功耗功率芯片设计研究，国家科技重大专项，项目负责人

3．超结VDMOS的动态电荷失衡模型与新结构，教育部博士点新教师基金，项目负责人

4．具有体内分压岛的槽栅型功率DMOS新结构研究，中国博士后科学基金面上项目一等资助，项目负责人

【完成项目】

1．功率DMOS智能开关的辐照解析模型与采样新结构，中央高校基本科研业务费，项目负责人

2．IGBT 分立器件可靠性研究技术合作项目，华为技术有限公司，第2主研人

【学术专著】

1．半导体器件基础，清华大学出版社，2008年3月，译著（第3作者）

【发表论文】

1．An Avalanche Current Path Optimizing Method for Superjunction MOSFET to Enhance Unclamped Inductive Switching Capability，ICCCAS 2013 ，EI收录，第1作者

2．A Novel Superjunction MOSFET with Improved Ruggedness under Unclamped Inductive Switching. Chinese Physics B. 2012年4月， SCI收录，第1作者

3．A Novel Planar VDMOS with Inhomogeneous Floating Islands. Chinese Physics B. 2011 年12月， SCI收录，第1作者

4．Symmetry ensemble theory of the spin wave emitting effect driven by current in nanoscale magnetic multilayer, Chinese Physics B, 2009年5月， SCI收录，第1作者

5. Macroscopic description of magnetic behaviors induced by spin transfer in magnetic multilayer nanostructures, Superlattices and Microstructures, 2008年5月， SCI收录，第1作者

6. Innovative Buried Layer Rectifier with 0.1V Ultra-low Conduction Threthold Voltage. The 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD), Belgium. 2012. ，EI收录，第2作者

7． Above 700v superjuction MOSFETs fabricated by deep trench etching and epitaxial growth, Journal of Semiconductors. 2010年8月，EI收录，第2作者