职　　称：教授

出生年月： 1978年9月

电子邮件：wjchen@uestc.edu.cn

【个人简介】

陈万军，男，教授，生于1978年，博士。2007-2010年在香港科技大学从事博士后研究工作。2008.03年开始在电子科技大学微电子与固体电子学院工作。

【研究方向】

1．微系统集成与三维封装测试

2．集成电路设计与制造

3．RF SOC设计

【在研项目】

1．硅基GaN功能集成与硅工艺融合技术研究，国家科技02重大专项，课题负责人

2．IGBT芯片设计，国家科技02重大专项，课题负责人

3．GaN异质结器件场控能带模型（FCE）与新结构，国家自然科学基金，课题负责人

4．高压XXX，部级预研，课题负责人

【完成项目】

1．高性能AlGaN/GaN复合阳极场控功率整流器新结构及模型，国家自然科学基金，课题负责人，2012年完成

2．新型GaN高压功率晶体管基础研究，中央高校基本科研业务费，课题负责人，2011年完成

3．增强型AlGaN/GaN HEMT高压功率器件研究，教育部博士点新教师基金，课题负责人，2012年完成

4．硅基氮化镓（GaN）功率集成关键技术及基础理论研究，电子薄膜与集成器件国家重点实验室创新基金，课题负责人，2012年完成

【发表论文】

1.High-performance AlGaN/GaN lateral field-effect rectifiers compatible with high electron mobility transistors”, Appl. Phys. Lett., vol. 92, 253501, 2008，SCI检索，第1作者

2. Single-Chip Boost Converter Using Monolithically Integrated AlGaN/GaN Lateral Field-Effect Rectifier and Normally-off HEMT” , IEEE Electron Devices Letters, vol. 30, No.5 pp. 430-432, 2009, SCI检索，第1作者

3.Monolithic Integration of Lateral Field-Effect Rectifier with Normally-off HEMT for GaN-on-Si Switch-mode Power Supply Converters”, International Electron Devices Meeting (IEDM 2008), San Francisco, pp.141-144, Dec. 15-17, 2008，顶级国际会议，第1作者

4.Realizing high voltage SJ-LDMOS with non-uniform N-buried layer”, Solid-State Electronics, vol. 52 (2008), pp. 675-678. SCI检索，第1作者

5.Analysis and reduction of the gate forward leakage current in AlGaN/GaN HEMTs employing energy-band modulation technology， Solid-State Electronics，2013.02，SCI检索，第1作者

6.Investigation of device geometry- and temperature-dependent characteristics of AlGaN/GaN lateral field-effect rectifier， SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY，2013.01，SCI检索，第1作者

7.High-current-density high-voltage normally-off AlGaN/GaN hybrid-gate HEMT with low on-resistance， IET Electronics Letters，2010.11，SCI检索，第1作者

8.Schottky-Contact Technology in InAlN/GaN HEMTs for Breakdown Voltage Improvement, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2013,p1075-1081, SCI检索，第2作者

9.Schottky-Ohmic Drain AlGaN/GaN Normally-Off HEMT with Reverse Drain Blocking Capability”,   IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, vol. 31, No. 7, 2010.07，SCI检索，第2作者

10.Characterization and analysis of the temperature-dependent on-resistance in AlGaN/GaN lateral field-effect rectifiers”, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 57, No. 8, 2010.08，SCI检索，第2作者