职　　称：教授

出生年月：1981年03月

电子邮件：2005qiaoming@163.com

【个人简介】

乔明，男，教授，生于1981年，中共党员，研究生学历，博士学位。2008年获微电子与固体电子学专业博士学位。

【研究方向】

1．集成电路设计与制造

2．微电子系统集成与三维封装测试

【在研项目】

“0.13微米SOI通用CMOS与高压工艺开发与产业化”子课题“高压器件设计及模型和智能核（IP）的建立”，02国家科技重大专项，子课题负责人

【完成项目】

SOI高压器件场控体电场降低REBULF理论与新结构，国家自然科学基金项目（代码：60906038），项目负责人,2012年12月完成。

【发表论文】

1．300 V high side thin layer SOI field pLDMOS with MFP based on FI technology，IEEE Electron Device Letters，2012年10月，核心期刊（SCI收录），第1作者

2．Analysis of back-gate effect on breakdown behaviour of over 600V SOI LDMOS transistors，Electronics Letters，2007年11月，核心期刊（SCI收录），第1作者

3．Breakdown voltage model and structure realization of the thin silicon layer linear variable doping SOI high voltage device with multiple step field plates，Chinese Physics B，2012年10月，核心期刊（SCI收录），第1作者