【基本信息】

所在部门： 威尼斯432888can(中国)股份有限公司

职 称：副教授

出生年月： 1974年07月

电子邮件：ljwu@cuit.edu.cn

办公电话：028-85966249

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【个人简介】

吴丽娟，女，副教授，生于1974年，中共党员，研究生学历，博士学位。

【研究方向】

1．模拟/射频/微波/毫米波集成电路设计

2．通信专用集成电路与系统集成芯片（SOC）设计

3．集成电路封装与测试技术

【在研项目】

1．基于SOI 的横向SJ等效耐压层理论及新结构，国家自然科学青年基金项目，项目负责人。

2．电荷型高压 SOI SJ LDMOS，四川省教育厅项目，项目负责人。

3．新型功率器件与集成技术，成都信息学院青年学术带头人科研基金，项目负责人。

4．新型功率器件模型与新结构研究，成都信息工程学院引进人才科研启动，项目负责人。

【完成项目】

1．射频功率器件研究，成都信息工程学院院级项目，项目负责人，2009年7月完成。

【发表论文】

[1] SOI SJ High Voltage Device with Linear Variable Doping Interface Thin Silicon Layer, 《ELECTRONICS LETTERS》, 1st March, Vol. 48, No. 5,2012 (SCI: 000300881100027; EI: 20121114866481 ) ，第一作者

[2] PB-SON RFLDMOS characteristics analysis. COMPEL - 《The International Journal for Computation and Mathematics in Electrical and Electronic Engineering》, Vol.29, No. 2, 2010 (SCI: 000277371500025; EI: 20101312803318 )，第一作者

[3] Novel high-voltage powerdevicebasedonself-adaptiveinterfacecharge. 《Chin. Phys. B》, Vol.20, No.2, 027101(1-8) 2011 (SCI: 000286970600063; EI: 20111113744051) ，第一作者

[4] A -188 V 7.2 Ω∙mm2 P-channel high voltage device formed on an epitaxy-SIMOX substrate. 《Chin. Phys. B》, Vol.20, No. 8, 087101(1-8), 2011 (SCI: 000294810700049; EI: 2011341425567)，第一作者

[5] A novel partial-SOI high voltage P-channel LDMOS with interface accumulation holes. 《 Chin. Phys. B》, Vol.20, No.10, 2011 (SCI: 000295969000058; EI: 20114214430767) ，第一作者