2024年4月27日，“2024功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2024）”在成都开幕。会议围绕硅基电力电子器件、以碳化硅和氮化镓为代表的化合物电力电子器件、功率集成电路、封装等为主题，吸引了来自全国各地高校科研院所的学术界专家、学者和产业界领袖共200余位嘉宾代表，深入探讨交流功率半导体器件与集成电路的最新技术进展与发展趋势，分享前沿研究成果。

本次会议由成都信息工程大学、电子薄膜与集成器件全国重点实验室、电子科技大学集成电路研究中心、第三代半导体产业等共同主办，受电子科技大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟指导，并得到氮矽科技、苏州纳维、镓仁半导体、核力创芯、莱普科技、复锦功率半导体、英铂科学仪器、艾姆希等行业企业的支持。

大会主旨报告环节，我校副校长罗小蓉教授作了题为“氮化镓功率器件结构、驱动和电源应用”的邀请报告，涉及GaN在功率器件、栅驱动以及高效电能变换三个方面的技术现状、挑战以及应对方法，重点阐述高可靠低损耗GaN电力电子器件新结构，高频率高精度GaN栅驱动技术，以及基于GaN的高效高功率密度电源系统。

会议现场

罗小蓉教授作邀请报告