姓名：杨陈辰

职称：讲师

方向：模拟/射频/毫米波集成电路与系统设计

系别：微电子系

团队：射频集成电路研发团队

邮箱：yangcc@cuit.edu.cn

【个人简介】

杨陈辰，男，讲师，博士研究生学历，博士学位。2022年博士毕业于复旦大学，主要从事模拟/射频/毫米波集成电路研究。近年来，在国内外高水平期刊和重要学术会议上发表论文10余篇，其中第一作者5篇。参研国家自然科学基金项目、国家重点研发计划项目以及横向合作项目多项。

【主持（研）项目】

1.毫米波相控阵收发前端芯片研究与开发

【科研成果】

一、发表论文（仅列出第一作者）

1.Yang C C, Chen Y C, Lin H C, et al. Fabrication and RTN characteristics of gate-all-around poly-Si junctionless nanowire transistors[C]//2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW). IEEE, 2016: 64-65.

2.Yang C C, Peng K P, Chen Y C, et al. Study on random telegraph noise of gate-ail-around poly-Si junctionless nanowire transistors[C]//2017 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW). IEEE, 2017: 45-46.

3.Yang C C, Li T, Xu C, et al. A Low-Phase Error Cascode CMOS Variable Gain Amplifier With 180° Phase Control for Phase Array Systems[J]. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2022.

4.Yang C C, Li T, Chen Y, et al. A Low Amplitude/Phase Error 16dB CMOS Variable Gain Amplifier with 180° Phase Shifting[C]//2021 IEEE MTT-S International Wireless Symposium (IWS). IEEE, 2021: 1-3.

5.Yang C C, Yan N, Li T, et al. Design of a wideband CMOS digital step attenuator with high accuracy and low phase error[C]//2020 IEEE 15th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT). IEEE, 2020: 1-3.

二、授权专利

1.发明专利CN113517870A可变增益放大器及其应用

2.实用新型专利CN216122360U可变增益放大器

3.发明专利CN108511449B一种三维NAND型存储器下选择管的实现方法

4.发明专利CN107799527B一种双栅极三维存储器及其制作方法

5.集成电路布图BS.215000587 ATT

6.集成电路布图BS.215000595 VGA